半导体产业园研发区一期项目建设取得重要阶段性进展——3#通用厂房顺利突破“正负零”关键节点

近日，由工程公司投资建设的半导体产业园研发区一期项目迎来标志性工程节点。3#通用厂房首层底板于2025年12月27日顺利完成大面积混凝土浇筑，标志着该单体建筑成功突破“正负零”，正式进入地上主体结构快速施工阶段。

作为产业园区首批启动的单体之一，本次浇筑的首层底板面积大、质量要求高，历经12小时一次性连续浇筑混凝土约400立方米。其顺利完成为后续厂房主体施工积累了宝贵经验，也对实现项目总体目标具有示范意义。

半导体产业园研发区一期项目总建筑面积约3.6万平方米，致力于打造高端化、集约化的产业发展载体。3#通用厂房的顺利推进，为后续厂房主体施工积累了宝贵经验，也标志着产业园区整体形象将从“地下”转为“地上”，建设步伐全面提速。后续将以高标准、严要求，确保项目早日建成、早日见效，为区域产业发展注入新动能。